Установки
1. CVD реактор с цилиндрическим СВЧ резонатором
Установка для осаждения алмазных плёнок из газовой фазы на подложках диаметром до 75 мм. Для создания плазмы используется излучение магнетрона с частотой 2.45 ГГц и мощностью до 5 кВт. Реактор работает в непрерывном режиме.
Ссылки:
1. Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Muchnikov A.B., Radishev D.B., Kopelovich E.A., and Troitskiy M.M. Investigation of the optimized parameters of microwave plasma-assisted chemical vapor deposition reactor operation in a pulsed mode // J. Phys. D: Appl. Phys., 2012, v. 45, 395202.
2. А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, А.Б. Мучников, Д.Б. Радищев. «Исследование газофазного синтеза поли- и монокристаллических алмазных пленок в плазме СВЧ разряда» // Изв. вузов: Радиофизика, 50 (2007) 1009.
2. CVD реактор с эллипсоидальным СВЧ резонатором
Установка для осаждения алмазных плёнок из газовой фазы на подложках диаметром до 75 мм. Для создания плазмы используется излучение магнетрона с частотой 2.45 ГГц и мощностью до 6 кВт. Реактор работает в непрерывном режиме.
Ссылки:
AIXTRON
CVD diamond
3. CVD реактор на основе 28 ГГц гиротрона
Установка для осаждения алмазных плёнок из газовой фазы на подложках диаметром до 100 мм использует для создания плазмы излучение 28 ГГц гиротрона с мощностью до 15 кВт.
На установке реализован CVD метод выращивания высококачественных поликристаллических алмазных плёнок с линейной скоростью 10–15 микрон в час, которая в 5–7 раз превышает скорость роста алмазных плёнок того же качества в традиционных 2.45 ГГц CVD реакторах.
Ссылки:
1. A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, A.V. Kozlov, V.A. Koldanov, A.G. Litvak, N.M. Ovechkin, D.B. Radishev, Yu.V. Bykov, and M. Caplan. Diamond films grown by millimeter wave plasma-assisted CVD reactor // Diamond and Related Materials, 15 (2006) 502.
2. A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, A.V. Kozlov, D.B. Radishev, and A.B. Muchnikov. Microcrystalline diamond growth in presence of argon in millimeter wave plasma-assisted CVD reactor // Diamond and Related Materials, 17 (2008) 1055.
4. CVD реактор для дельта-легирования алмаза
Установка для осаждения алмазных слоёв на подложках монокристаллического алмаза. Используется для реализации технологии дельта-легирования – создания тонкого (толщиной несколько нанометров) слоя сильно легированного бором алмаза, залегающего в нелегированном бездефектном CVD алмазе высокого качества. С использованием этого реактора разработана технология выращивания монокристаллического CVD алмаза с сильно легированными бором слоями толщиной 1–2 нм с концентрацией бора (5–10) 1020 см-3.
Ссылки:
A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, and J.E. Butler. Novel microwave plasma assisted CVD reactor for diamond delta doping // Physica Status Solidi RRL, v. 10, Issue 4, 2016, pp. 324–327. DOI: 10.1002/pssr.201510453
5. CVD реактор с многомодовым СВЧ резонатором
Установка для осаждения алмазных плёнок из газовой фазы на подложках диаметром до 80 мм. Для создания плазмы используется излучение магнетрона с частотой 2,45 ГГц и мощностью до 10 кВт. Реактор работает как в непрерывном, так и в импульсно-периодическом режиме поддержания плазмы.
Ссылки:
A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, and D.B. Radishev. Multimode cavity type MPACVD reactor for large area diamond film deposition // Diamond and Related Materials, Volume 83, March 2018, Pages 8–14. DOI: 10.1016/j.diamond.2018.01.011